第一原理計算稀磁半導體(In1-xMnx)As的晶格常數(shù),磁性和電子結構

用緊束縛近似線性Muffin-tin軌道的方法計算了稀磁半導體(In1-xMnx)As(x=1/2,1/4和1/8)的晶格常數(shù),磁性和電子結構.給出了Mn摻雜濃度的變化對(In1-xMnx)As的晶格常數(shù),磁性和電子結構的影響.

作 者： 閆玉麗 楊致 趙文杰 葛桂賢 雷雪玲 王清林 YAN Yu-li YANG Zhi ZHAO Wen-jie GE Gui-xian LEI Xue-ling WANG Qing-ling   作者單位： 河南大學物理與信息光電子學院,開封,475001  刊 名： 原子與分子物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(3)  分類號： O469  關鍵詞： 稀磁半導體   晶格常數(shù)   磁性   態(tài)密度  

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